• Мое избранное
  • Сохранить в Word
  • Сохранить в Word
    (альбомная ориентация)
  • Сохранить в Word
    (с оглавлением)
  • Сохранить в PDF
  • Отправить по почте
Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
Документ показан в демонстрационном режиме! Стоимость: 800 тг/год

Отправить по почте

Toggle Dropdown
  • Комментировать
  • Поставить закладку
  • Оставить заметку
  • Информация new
  • Редакции абзаца

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ Метод измерения сопротивления сток-исток ГОСТ 20398.13-80

Ограничение срока действия снято по протоколу Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 2, 1993 год)
С изменениями и дополнениями № 1 (ИУС 11-1983)
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Дата введения 1982-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 декабря 1980 г. N 5805 срок действия установлен с 01.01.82 до 01.01.87**
* ПЕРЕИЗДАНИЕ март 1984 г. с Изменением N 1, утвержденным в июле 1983 г. (ИУС 11-83).
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора  .
Общие условия при измерении должны соответствовать ГОСТ 20398.0-74 и требованиям, изложенным в соответствующих разделах настоящего стандарта.
Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147-2G.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 3413-81 в части метода измерения сопротивления сток-исток (см. справочное приложение).
(Измененная редакция, Изменение № 1)
1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ
1.1. Измерение заключается в определении сопротивления между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения, и заданном напряжении на затворе.
1.2. Электрический режим транзистора (напряжение на стоке, напряжение на затворе) и условия измерения указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.
2. АППАРАТУРА
2.1. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии транзистора следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт.1 или 2.