• Мое избранное
  • Сохранить в Word
  • Сохранить в Word
    (альбомная ориентация)
  • Сохранить в Word
    (с оглавлением)
  • Сохранить в PDF
  • Отправить по почте
Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов.
Документ показан в демонстрационном режиме! Стоимость: 800 тг/год

Отправить по почте

Toggle Dropdown
  • Комментировать
  • Поставить закладку
  • Оставить заметку
  • Информация new
  • Скопировать ссылку
  • Редакции абзаца 
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
ГОСТ 18604.3-80
С изменениями и дополнениями № 1 (ИУС 8-1984).
Transistors bipolar. Methods for measuring collector
 and emitter capacitances*
Предисловие
Дата введения 1982-01-01
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 4 июля 1980 г. N 3392 срок действия установлен с 01.01.82 до 01.01.87**
ВЗАМЕН ГОСТ 18604.3-73 
* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).
ВНЕСЕНО Изменение N 2 , утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25.06.87 N 2537 с 01.10.87
Изменение N 2 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 10, 1987 год
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного   и эмиттерного   переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя,
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности.
Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83 .
(Измененная редакция, Изменение № 2)
1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ   И   С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ 
 РЕЗИСТИВНО-ЕМКОСТНОГО ДЕЛИТЕЛЯ*
(Измененная редакция, Изменение № 2)
1.1. Условия измерения
(Измененная редакция, Изменение № 2)
1.2. Частоту измерения, постоянное напряжение источника питания транзистора указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов (далее - стандартах).
(Измененная редакция, Изменение № 2)
Частоту измерения выбирают из ряда: 465 кГц, 1, 2, 5, 10, 30, 100, 300 МГц.
1.3. Измерения производят на малом переменном сигнале.
(Измененная редакция, Изменение № 2)
2. АППАРАТУРА
2.1. Емкость   следует измерять на установке, структурная электрическая схема которой приведена на черт.1. Емкость   измеряют по этой же схеме, при этом эмиттер и коллектор меняют местами.
(Измененная редакция, Изменение № 2)
 
  - измеряемый транзистор;  - элемент для развязки;  ,   - конденсаторы;
   - электронный измеритель напряжения;   - токосъемный резистор;   - генератор сигналов;
   - измеритель напряжения
 Черт.1
Для измерения   допускается применять установку, схема которой отличается от схемы, приведенной на черт.1, тем, что генератор сигналов   и электронный измеритель напряжения   (далее - прибор  ) меняют местами (например, при заземленном корпусе транзистора), при этом токосъемный резистор   переносят в цепь коллектора.
2.2. Сопротивление токосъемного резистора выбирают из соотношения
(Измененная редакция, Изменение № 2)
 ,
где   - емкость измеряемого перехода; 
  - угловая частота измерения.
В качестве токосъемного элемента может быть использовано входное сопротивление электронного измерителя напряжения  , которое должно удовлетворять условию
 .
2.3. Емкость разделительного конденсатора   выбирают из соотношения
(Измененная редакция, Изменение № 2)
 ,
где   - выходное сопротивление генератора сигналов.
Конденсатор   отсутствует в схеме черт.1, если генератор   имеет на выходе собственную разделительную емкость.
2.4. Выходное сопротивление генератора сигналов выбирают из соотношения
 .
2.5. Емкость блокировочного конденсатора   выбирают из соотношения
(Измененная редакция, Изменение № 2)
 ,
где   - модуль полного сопротивления элемента для развязки.
В качестве   может быть использован резистор, индуктивность или резонансный контур, настроенный на частоту измерения. 
2.6. Активную составляющую полного сопротивления элемента для развязки  выбирают из соотношения
(Измененная редакция, Изменение № 2)
 ,
где   - напряжение источника питания коллектора;
  - обратный ток коллектора, указывают в стандартах.
2.7. При измерении СВЧ транзисторов допускается:
(Измененная редакция, Изменение № 2)
соединять вывод корпуса   с корпусом схемы измерения (с землей), если имеется изолированный корпусной вывод и ни один из электродов транзистора не соединен с корпусом:
применять прибор   с входным сопротивлением, равным стандартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом. При этом токосъемным элементом, с которого снимают напряжение, пропорциональное измеряемой емкости, является параллельное соединение резистора   и входного сопротивления прибора  ;
выбирать активную составляющую полного сопротивления  , равную стандартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом; 
в качестве токосъемного элемента использовать конденсатор, значение емкости которого должно быть не менее чем в 100 раз больше емкости измеряемого перехода. При этом токосъемный конденсатор шунтируют резистором, значение сопротивления которого  выбирают из соотношения