1. РАЗРАБОТЧИКИ

А.Н.Ильичев, В.П.Белотелов (руководители темы); В.Б.Братолюбов, канд. техн. наук; Б.П.Курбатов; В.В.Сажина

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 18.12.80 N 5877

3. Срок проверки - 1991 г.

4. Стандарт содержит все требования СТ СЭВ 1656-79. В стандарт дополнительно включены требования безопасности, требования по определению погрешностей измерения параметров силовых полупроводниковых приборов и испытательного оборудования, а также требования к методам испытаний запираемых тиристоров

5. Стандарт полностью соответствует международным стандартам МЭК 747-1-83, МЭК 742-2-83, 747-6-83

6. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

	

		

			
 
			
 
		
		

			

			
Обозначение НТД, на который дана ссылка
			
			

			
Номер пункта, приложения
			
		
		

			

			
ГОСТ 8.207-76
			
			

			
Приложение 2
			
		
		

			

			
ГОСТ 12.1.030-81
			
			

			
1.16
			
		
		

			

			
ГОСТ 12.2.007.0-75
			
			

			
1.16
			
		
		

			

			
ГОСТ 12.3.019-80
			
			

			
1.16
			
		
		

			

			
ГОСТ 15150-69
			
			

			
1.1
			
		
	

7. Постановлением Госстандарта СССР от 02.12.87 N 4345 срок действия ограничен до 01.01.93

8. ПЕРЕИЗДАНИЕ (август 1990 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в июне 1982 г., декабре 1987 г. (ИУС 10-82, 2-88)

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы (в дальнейшем - приборы): кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10 А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках.

Основные понятия, встречающиеся в стандарте, приведены в справочном приложении 1.

(Измененная редакция, Изменение № 2)

1.1. Измерения и проверки, если не указано особо, проводятся при нормальных климатических условиях по ГОСТ 15150-69 .

1.2. Если не оговорено особо, общая относительная погрешность измерения или проверки не должна превышать ±10% для импульсного прямого напряжения или импульсного напряжения в открытом состоянии и максимально допустимого неповторяющегося импульсного напряжения и ±15% для остальных параметров с доверительной вероятностью 0,95. Погрешность измерения теплового сопротивления не устанавливается.

(Измененная редакция, Изменение № 2)

Погрешность задания и поддержания режима измерения и проверки не должна превышать ±5% для постоянных напряжения, тока, мощности и ±10% для из переменных и импульсных напряжения, тока, мощности.

1.3. Все испытательное оборудование и нестандартизованные средства измерений, используемые для измерения и проверки параметров (в т.ч. и оборудование для входного контроля), должны быть аттестованы. При этом погрешность этого оборудования должна быть такой, чтобы общая относительная погрешность измерений или проверки параметров соответствовала требованиям п.1.2.

(Измененная редакция, Изменение № 2)